رابطه ی پاشندگی و نرخ رشد در لیزر الکترون آزاد دو جریانی با میدان مغناطیسی ویگلر پیچشی و کانال یونی
thesis
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه مازندران - دانشکده علوم پایه
- author هاجر علیرضایی
- adviser تقی محسن پور سعید میرزانژاد
- Number of pages: First 15 pages
- publication year 1395
abstract
رابطه ی پاشندگی برای لیزر الکترون آزاد دو جریانی با میدان مغناطیسی ویگلر با هدایت کانال یونی در رژیم رامان مورد بررسی قرار گرفته است، این رابطه ی پاشندگی برای امواج الکترواستاتیک و الکترومغناطیس جفت شده به دست آمد، همچنین رابطه ی پاشندگی برای موج راستگرد در غیاب موج چپگرد و موج بار – فضا و به طور مشابه برای موج چپگرد در غیاب موج راستگرد و موج بار – فضا نیز به دست آمد.رابطه ی پاشندگی لیزر الکترون آزاد دو جریانی با میدان مغناطیسی ویگلر پیچشی و کانال یونی به طور عددی حل شده است که در نتیجه ی این حل عددی افزایش چشمگیر نرخ رشد در لیزر الکترون آزاد دو جریانی در مقایسه با لیزر الکترون آزاد تک جریانی برای هر دو گروه i و ii مشاهده شده است. ماکزیمم نرخ رشد به عنوان تابعی از فرکانس کانال یونی نرمالیزه شده مورد مطالعه قرار گرفته و نشان داده شد که در گروه i با افزایش فرکانس کانال یونی نرخ رشد افزایش و در گروه ii نرخ رشد کاهش می یابد.
similar resources
بررسی مسیرهای الکترون در لیزر الکترون آزاد با میدان ویگلر مارپیچی واقعی و کانال یونی راهنما
A detailed analysis of electron trajectories in a realizable helical wiggler free electron laser with ion channel guiding using electron (single particle dynamics) is presented. Conditions for stability of electron orbit have been investigated, calculations are made to illustrate. Conclusion shows that there are differences stable (unstable) condition(s) electron trajectories between ideal he...
full textبررسی مسیر های الکترون در لیزر الکترون آزاد با میدان ویگلر مارپیچی واقعی و کانال یونی راهنما
مسیرهای الکترون در لیزر الکترون آزاد با میدان ویگلر مارپیچی واقعی و کانال یونی راهنما تجزیه و تحلیل شده و حالتهای پایدار و ناپایدار مدار الکترونی به دست آمده است. نتایج نشان می دهند پایداری مسیرهای الکترون (تک الکترون) در ویگلر مارپیچی واقعی که در فضای سه بعدی مورد بررسی قرار می گیرد در مقایسه با ویگلر مارپیچی ایده آل که در مختصات دو بعدی قبلا به دست آمده است اختلاف دارد. این موضوع مورد بحث قرا...
full textاثر خود-میدان ها بر روی نرخ رشد و رابطه ی پاشندگی در لیزر الکترون آزاد با ویگلر الکترومغناطیسی
چکیده ندارد.
15 صفحه اولاثرات خود- میدان ها بر رابطه پاشندگی و نرخ رشد در لیزر الکترون آزاد با ویگلر الکترومغناطیس و میدان مغناطیسی محوری
چکیده در این پایان نامه علاوه بر سرعت ویگلری و رابطه پاشندگی ویگلر الکترومغناطیس با میدان مغناطیسی محوری در حالت پایا، خود- میدان های الکتریکی و مغناطیسی محاسبه شده که در اینجا خود- میدان مغناطیسی مورد استفاده از مرتبه اول می باشد و مراتب بالاتر محاسبه نشده است. در رژیم رامان با استفاده از نظریه سیالی رابطه پاشندگی لیزر الکترون آزاد با ویگلر الکترومغناطیسی و میدان محوری در حضور خود- میدانهای ا...
اثرات دمای باریکه الکترونی روی نرخ رشد تابش در لیزر الکترون آزاد ویگلر پیچشی
به منظور تحلیل ناپایداری امواج، روابط پاشندگی بطور عددی حل می شود. در مدارهای گروهi ، اثرات دما نرخ رشد را افزایش می دهد اما در مدارهای گروهii برای ناحیه ? مثبت اثرات دما نرخ رشد را کاهش می دهد در گروهii برای ناحیه ? منفی هم، اثرات دما نرخ رشد را افزایش یا کاهش می دهد.
My Resources
document type: thesis
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه مازندران - دانشکده علوم پایه
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023